RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
64
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2248
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link