RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
64
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2248
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link