RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2460
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link