RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3990
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link