RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
71
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
16.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3835
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link