RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
71
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2524
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link