RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2524
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link