PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Gesamtnote
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 31
    Rund um 13% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    21.4 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    16.2 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 21.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 16.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 3809
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RAM 1
RAM 2

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