RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3809
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link