RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3030
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link