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PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3030
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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