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PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.3
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3030
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 0000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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