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PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.3
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3030
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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