RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3406
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link