RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3406
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link