RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3199
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link