RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 34
    周辺 21% 低遅延
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3199

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
メモリRAM