RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3199
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link