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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
86
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1469
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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