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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
86
周辺 69% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
6.3
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
86
読み出し速度、GB/s
13.8
13.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
6.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
1469
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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