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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
86
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
86
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1469
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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