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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Vergleichen Sie
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2753
2077
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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