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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
45
Velocità di lettura, GB/s
16.7
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2077
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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