PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 45

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.0 8.1

Среднее значение в тестах

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

38 45
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 11.9
Скорость записи, Гб/сек

10.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 2077

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM