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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
38
45
读取速度,GB/s
16.7
11.9
写入速度,GB/s
10.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2077
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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