RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
1897
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link