RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
1897
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link