RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
43
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
1897
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link