RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
2231
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link