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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
26
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
3564
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