RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3564
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link