RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
40
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3191
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link