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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
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Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
40
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
35
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1806
3191
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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