RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
40
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
3191
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link