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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
総合得点
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
40
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
35
読み出し速度、GB/s
12.3
16.7
書き込み速度、GB/秒
7.8
15.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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