RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3372
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link