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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
11.4
18.6
写入速度,GB/s
7.7
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3372
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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