RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
43
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
36
Velocità di lettura, GB/s
11.4
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
3372
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link