RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
45
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
1900
Rund um 6.74% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
1900
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2387
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link