RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2527
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
AMD AE34G1339U2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link