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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.7
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2527
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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