Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

总分
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
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takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    57 left arrow 69
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,383.4 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    69 left arrow 57
  • 读取速度,GB/s
    4,217.2 left arrow 3,759.3
  • 写入速度,GB/s
    1,857.7 left arrow 2,383.4
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 715
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