Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Note globale
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

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takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    57 left arrow 69
    Autour de -21% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,383.4 left arrow 1,857.7
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    69 left arrow 57
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,217.2 left arrow 3,759.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,857.7 left arrow 2,383.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    668 left arrow 715
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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