Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    57 left arrow 69
    Intorno -21% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,383.4 left arrow 1,857.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    69 left arrow 57
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,217.2 left arrow 3,759.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,857.7 left arrow 2,383.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    668 left arrow 715
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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