Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Puntuación global
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takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    57 left arrow 69
    En -21% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,383.4 left arrow 1,857.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    69 left arrow 57
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,217.2 left arrow 3,759.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,857.7 left arrow 2,383.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    668 left arrow 715
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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