RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link