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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
14.0
写入速度,GB/s
10.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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