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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2660
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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