RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
25
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3726
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link