RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3673
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link