RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3673
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link