Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 43

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.1 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 29
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 18.1
Скорость записи, Гб/сек

9.6 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 3673

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB

Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

модули RAM